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10月30日，国家重点研发计划项目“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”启动会在南京大学鼓楼校区召开，科技部高技术中心材料处史冬梅处长，南京大学潘毅副校长、郑有院士，西安电子科技大学郝跃院士，中国科学院长春光机所王立军院士，以及有关专家和项目参与人员共计40余人与会。会议由项目负责人、南京大学教授陆海主持。

本项目由南京大学牵头，华中科技大学、清华大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中科院长春光机所等14家国内在该领域的优势单位共同承担。

以碳化硅（SiC）和III族氮化物为代表的宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料，具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点，用于工作在紫外波段的光电探测器件，具有显著的材料性能优势。本项目面向量子信息、医学成像、深空探测和国防预警等应用，计划开展高增益、低噪音AlGaN基日盲雪崩光电探测器、SiC紫外单光子探测器、相关成像阵列及紫外成像系统研究；通过从材料生长到器件研制、再到系统集成和应用演示的全链条、一体化技术攻关研究，有力推动宽禁带半导体紫外探测技术的实用化进程。为了加速项目的实施和成果转化，项目分别成立了咨询专家组和管理工作组。

会议期间，潘毅副校长代表学校致欢迎词，史冬梅处长就国家重点专项的部署和管理进行讲解，陆海教授及各课题负责人就项目拟解决的关键科学技术问题、主要研究内容、团队分工及最新工作进展分别进行汇报；与会咨询专家针对项目实施过程中的应用需求分析、实施方案、项目管理和人才培养等提出了指导性建议；科技部高技术中心材料处杨斌项目主管做了总结发言，对项目前期工作给予肯定，并就项目实施提出了具体要求。（电子学院）